半导体器件建模仿真与分析教程

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半导体器件建模仿真与分析教程 - 文件信息

• 🎬 包含文件：0001--1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4
• 🎬 0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4
• 🎬 0001--1.3-半导体器件物理简述.mp4
• 🎬 0001--1.4-一维PN结的数值求解.mp4
• 🎬 0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4
• 🎬 0001--2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4
• 🎬 0001--2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4
• 🎬 0001--2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4
• 🎬 0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理（二）.mp4
• 🎬 0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4
• 🎬 0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理（一）.mp4
• 🎬 0001--3-3-器件仿真中的物理模型（一）.mp4
• 🎬 0001--3-4_物理模型（二）与温度仿真.mp4
• 🎬 0001--3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4
• 📁 0001--3-6_SPICE模型
• 🎬 混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4
• 🎬 0001--3-7-混合模式（二）-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp4
• 🎬 0001--3-8-缺陷与辐照特性仿真（单粒子效应与总剂量效应）.mp4
• 🎬 0001--3-9-缺陷（二）与辐照特性仿真（总剂量效应）.mp4
• 🎬 0001--3-10-交流小信号分析.mp4
• 🎬 0001--3-11-交流小信号分析（二）.mp4
• 🎬 0001--3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4
• 🎬 0001--3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4
• 🎬 0001--3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4
• 🎬 0001--3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4
• 📁 0001--3-16_sdevice求解流程
• 🎬 Math设置与收敛性调整思路.mp4
• 🎬 0001--4-1_-半导体工艺技术简述.mp4
• 🎬 0001--工艺仿真提前梳理（临时）.mp4
• 🎬 0002--4-2_版图绘制基础（上）.mp4
• 🎬 0003--4-3-版图绘制（中）-Cell处理与实用小工具.mp4
• 🎬 0004--4-4-版图绘制（下）-派生图层与宏命令编写.mp4
• 🎬 0005--4-5-工艺仿真基础（一）.mp4
• 🎬 0006--4-6-工艺仿真基础（二）-Static与Adaptive网格设置.mp4
• 🎬 0007--4-7-工艺仿真基础（三）(上).mp4
• 🎬 0008--4-8-工艺仿真基础（三）（下）.mp4
• 🎬 0009--4-9基于ICWBEV的工艺仿真，实现纵向和横向设计的完美分离，提高仿真效率.mp4
• 🎬 0010--4-10-基于ICWBEV的工艺仿真（二）与光电二极管仿真.mp4
• 📁 0011--4-11-sprocess结构生成（刻蚀
• 🎬 淀积）与MGOALS.mp4
• 🎬 0012--4-12_离子注入仿真（上）.mp4